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IT之家 11 月 5 日消息,消息源 @Jukanlosreve 今天(11 月 5 日)在 X 平台发布推文,曝料称 Galaxy S25 标准版手机仍为
模组厂预期,第四季度仅eSSD与HBM产物出货量和价钱加多,其他存储产物如DRAM及NAND将停滞不前。这是由于亏损性产物如手机及PC将与需求抓平,仅办事器关连
HBM动作一种用于高性能狡计和AI诓骗的关节存储手艺,连年来需求量大幅加多。投资者开动担忧,HBM可能在2025年出现供应鼓胀,而DRAM周期性下行的风险加重。
抓续加价三个季度后,本年Q3,DRAM不息强势加价。据TrendForce集邦筹划,Q3预估Conventional DRAM(一般型内存)合约价涨幅将高于先前
发明 DRAM 的电气和计较机工程前驱丹纳德(Robert Heath Dennard) 于 2024 年 4 月 23 日死字。这项发明匡助使数十亿部智高东谈
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