光刻机行业产业链竞争格局市场空间及相关公司分析报告

1.光刻工艺

（1）集成电路制造流程复杂，光刻为其中关键一环

光刻（Lithography）是指在特定波长光线的作用下，将设计在掩膜版上的集成电路图形转移到硅片表 面的光刻胶上的技术工艺。为了完成图形转移，需要经历沉积、旋转涂胶、软烘、对准与曝光、后烘、 显影、坚膜烘焙、显影检测等 8 道工序，检测合格后继续进行刻蚀、离子注入、去胶等步骤，并视需要 重复制程步骤，建立芯片的“摩天大楼”。

（2）光刻核心地位：1/2 的时间+1/3 的成本

随着芯片技术的发展，重复步骤数增多，先进芯片需要进行 20-30 次光刻，光刻工艺的耗时可以占到整 个晶圆制造时间的 40%-50%，费用约占芯片生产成本的 1/3。

2.光刻机

（1）曝光设备应用广泛，光刻机通常指用于芯片前道工艺的光刻设备 泛半导体光刻技术可分为直写光刻和掩模光刻，直写式光刻精度较低，多用于 IC 后道封装、低世代线 平板显示、PCB 等领域；掩模光刻目前的主流形式为投影式，光刻精度高，可用于 IC 制造的前道工艺、 后道先进封装和中高世代线的 FPD 生产。

（2）光刻机单机价值量高，孕育千亿市场空间

2022 年全球晶圆前道设备销售 941 亿美元，光刻机占 17%，是 IC 制造的第三大设备，但却是单机价值 量最大的设备。据 ASML 财报测算，2022 年单台 EUV 价格约 1.8 亿欧元，浸没式 DUV 约 6500 万欧 元。

3.光刻机技术发展历程

光刻机的技术演进主要分为以下几个阶段。

1）UV 光刻机：用于 0.25 微米及以上制程节点，UV 为紫外光，APP开发业务光源类型包括 g-line、i-line 等。

2）干式 DUV 光刻机：可用于 65nm-0.35μm 制程节点，干式 DUV 是指在光刻过程中使用干式透镜和 深紫外线光源，该技术在 20 世纪 90 年代初得到了广泛应用。

3）浸入式 DUV 光刻机：可用于 7nm-45nm 制程节点，随着芯片制造技术对先进制程的需求持续增加， 干式 DUV 光刻机已无法满足其精度要求。浸入式 DUV 光刻机通过把物镜与晶圆之间的填充由空气改变 为水，进而获得更高的数值孔径（NA），使光刻机具有更高的分辨率与成像能力。

4）Low-NAEUV 光刻机：用于 3nm-7nm 制程节点，EUV 为极紫外光，该光源的波长较此前光源明

显减小，显著提升光刻机的分辨率。

5）High-NAEUV 光刻机：用于 3nm 以下制程节点，High-NA 是指高数值孔径（0.33→0.55），是下 一代光刻机技术，将在已有 EUV 基础上进一步提高分辨率与成像能力，从而实现更先进制成的生产。

当前该技术由阿斯麦公司研发中，公司预计在 2025 年实现出货。

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